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DKDP普克尔斯盒
DKDP电光Q开关（Q-switch，Pockels Cells）因其独特的物理特性和优异的光学品质而广泛应用于大口径、高功率、窄脉宽 （<10ns）激光系统。 DKDP晶体是单轴晶体，具有优异的光学质量，其消光比>2000:1（使用632nm He-Ne激光测量)，波前畸变98％。DKDP电光Q 开关电容小（约为3-5pF），因而上升时间短（<0.5ns），在调Q时可输出窄脉宽的脉冲激光。与市场上使用较广泛的电光晶体相比，DKDP晶体具有较高的损伤阈值; 在脉宽10ns、波长为1064nm、重复频率 10Hz的光学条件下，损伤阈值>1GW/cm²。
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DKDP电光Q开关（Q-switch，Pockels Cells）因其独特的物理特性和优异的光学品质而广泛应用于大口径、高功率、窄脉宽 （<10ns）激光系统。 DKDP晶体是单轴晶体，具有优异的光学质量，其消光比>2000:1（使用632nm He-Ne激光测量)，波前畸变98％。DKDP电光Q 开关电容小（约为3-5pF），因而上升时间短（<0.5ns），在调Q时可输出窄脉宽的脉冲激光。与市场上使用较广泛的电光晶体相比，DKDP晶体具有较高的损伤阈值; 在脉宽10ns、波长为1064nm、重复频率 10Hz的光学条件下，损伤阈值>1GW/cm²。
主要特点 Features
波前畸变: 低电容 Wave front distortion:low capacitance
短上升时间：~3Pf
高透射率：>98%
高损伤阈值：>1GW/cm2
无静态双折射，无光折变损伤
防反射涂层石英窗
耐环境温度冲击，电光性能优异
性能参数：
光圈(Aperture):
≤50mm
通光孔径(Clear Aperture)
≥90%
消光比(Extinction Ratio):
2000:1
Wave front distortion:
<λ/4 @633nm
Optical damage threshold:
>700 MW/cm2
Wavelength range:
300-1100nm
Insersion Loss
<3%
Half-Wave Voltage
3000V
Capacitance
3pF
Model:30x30x60sqare Model:BP103241N 
Model:CS081929 Model:CS102539G -
型号
主要特点
耐环境温度冲击
优异的电光性能、化学、机械性能稳定
使用寿命更长。
非线性光学系数大
接收角大
走离角小
宽的温度和光谱带宽
光电系数高和介电常数低
不吸水，化学、机械性能稳定
抗阻比值大
弱的压电振铃效应
极低的吸收系数
更宽的光谱透过范围（210-2000nm）
紧凑的尺寸
使用温度范围-40℃——+60℃
波前畸变: 低电容
短上升时间：~3Pf
高透射率：>98%
高损伤阈值：>1GW/cm2
无静态双折射，无光折变损伤
防反射涂层石英窗
耐环境温度冲击，电光性能优异
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